光敏二極管的檢測電路

光敏二極管與半導體二極管在結構上是類似的，其管芯是一個具有光敏特徵的PN結，具有單向導電性，因此工作時需加上反向電壓。無光照時，有很小的飽和反向漏電流，即暗電流，此時光敏二極管截止。當受到光照時，飽和反向漏電流大大增加，形成光電流，它隨入射光強度的變化而變化。光敏二極管結構見下圖。

操作方法

（01）按下圖接線，注意光敏二極管是工作在反向工作電壓的。由於硅光敏二極管的反向工作電流非常小，所以應提高工作電壓，可用穩壓電源上的+10V。

（02）暗電流測試：用遮光罩蓋住光電器件模板，電路中反向工作電壓接±12V，打開電源，微安表顯示的電流值即為暗電流，或用4 1/2位萬用表200mV 檔測得負載電阻 RL 上的壓降 V 暗，則暗電流 L暗=V 暗/RL。一般鍺光敏二極管的暗電流要大於硅光敏二極管暗電流數十倍。可在試件插座上更換其他光敏二極管進行測試比較。

（03）光電流測試：取走遮光罩，讀出微安表上的電流值，或是用4 1/2位萬用表200mv 檔測得 RL 上的壓降V光，光電流L光=V光/RL。

（04）靈敏度測試：改變儀器照射光源強度及相對於光敏器件的距離，觀察光電流的變化情況。

（05）光譜特性測試：不同材料製成的光敏二極管對不同波長的入射光反應靈敏度是不同的。由下圖可以看出，硅光敏二極管和鍺光敏二極管的響應峯值約在80~100μm，試用附件中的紅外發射管、各色發光 LED、光源光、激光光源照射光敏二極管，測得光電流並加以比較。

特別提示

本實驗中暗電流測試最高反向工作電壓受儀器電壓條件限制定為 ±12V（24V），硅光敏二極管暗電流很小，不易測得。